SDRAM SDR DDR QDR GDDR LPDDR UFS eMMC 内存详解

SRAM:Static Random Access Memory,静态随机存储器, 静态随机存储器,不需要刷新电路,数据不会丢失。
DRAM:Dynamic Random Access Memory,动态随机存储器, 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据。
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,数据的读写需要时钟来同步。
SDR:Single Data Rate, 单倍数据速率,数据在时钟的上升或下降沿可以传输
DDR:Dual Data Rate, 双倍数据速率,数据在时钟的上升和下降沿都可以传输
QDR:Quad Data Rate, 四倍倍数据速率,数据在时钟的上升和下降沿双倍传输
GDDR:Graphics Dual Data Rate,图像双倍数据速率,用于高速图像处理的场合,比如计算机的显卡中,其能够提供比传统DDR更高的数据传输速率。GDDR5采用点到点通信而不是象普通DDR那样是点到多点通信,因此信号完整性更好,数据传输速率更高。目前主流的GDDR5的数据传输速率是6Gb/s,预计在2012年会达到8Gb/s。
LPDDR:Low Power Dual Data Rate(mDDR:Mobile DDR SDRAM),低功耗双倍数据速率,主要用于手机等对功耗比较敏感的移动设备中。LPDDR工作方式和传统DDR类似,但是其架构和接口为低功耗应用做了优化,比如尺寸更小、工作电压更低、支持休眠模式、时钟速率可调等。目前LPDDR2的最高工作速率是1066Mb/s,下一代LPDDR3的工作速率预计在2012年会达到1600Mb/s。
UFS:Universal Flash Storage,移动端通用闪存存储,用于数码相机、智能手机等消费电子产品使用的闪存存储规范。它的设计目标是发展一套统一的快闪存储卡格式,在提供高数据传输速度和稳定性的同时,也可以减少消费者对于市面上各种存储卡格式的混淆和不同存储卡转接器的使用。
JEDEC:Joint Electron Device En gineering Council,电子设备工程联合委员会,制定 LPDDR、UFS 移动存储方案标准。
eMMC:embeddedMultiMediaCard,嵌入式多媒体存储卡,主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
MMCA:MultiMedia Card Association,多媒体存储卡协会,由西门子公司和首推CF的SanDisk于1997年推出,发展目标主要是针对数码影像、音乐、手机、PDA、电子书、玩具等产品。

版本 规格 电压 速度
第一代内存 SDR SDRAM 3.3V 100MT/s-200MT/s
第二代内存 DDR SDRAM 2.5V 200MT/s-400MT/s
第一代移动低功耗内存 LPDDR 1.8V 200MT/s-400MT/s
第三代内存 DDR2 SDRAM 1.8V 400MT/s-800MT/s
第二代移动低功耗内存 LPDDR2 1.6V 200MT/s-1066MT/s
第四代内存 DDR3 SDRAM 1.5V 800MT/s-1600MT/s
第三代移动低功耗内存 LPDDR3 1.2V 1333MT/s-1600MT/s
第五代内存 DDR4 SDRAM 1.2V 1600MT/s-3200MT/s
第四代移动低功耗内存 LPDDR4 1.1V 3200MT/s-4266MT/s

* MT/s 表示 MegaTransfers/s,MT/s 为百万次/秒,由于 HT 总线是双向传输,换算成 MHz 需要除以 2。

内存条参考数据

类型 系列 频率 电压 容量
Desktop DDR3L 1600 1.35v 4G/8G
Desktop DDR3 1600 1.5v 2G/4G/8G
Desktop DDR4 2133/2400 1.2v* 4G/8G/16G
Desktop DDR4 2666 1.2v* 8G/16G
Laptop DDR3L 1600 1.35v 2G/4G/8G
Laptop DDR3 1600 1.5v 2G/4G/8G
Laptop DDR4 2133 1.2v* 8G/16G
Laptop DDR4 2400 1.2v* 4G/8G/16G

* DDR4 内存的电压统一为1.2v,不分常电压或低电压。

DRAM / 内存 / 闪存 / SSD 颗粒供应商

韩国:Samsung(三星,全球第一大 DRAM 制造商)、SK-Hynix(现代内存,2001年更名为海力士,全球第三大 DRAM 制造商)
美国:Micron(镁光,日本Elpida(尔必达)被镁光收购,全球第二大 DRAM 制造商)、Intel(英特尔)、Kingston(金士顿)
日本:Toshiba(东芝,由东芝和闪迪合资成立的 DRAM 制造公司)
德国:Infineon(英飞凌,旗下有奇梦达(Qimonda AG)公司,前西门子集团的半导体部门)
中国台湾:茂德力晶南亚华邦钰创晶豪力积

SSD 运行速度与主控有关,写入新数据剩余空间不足时才会擦除旧数据,擦写几次之后就会变慢,速度跟容量也有有关系,容量越大,速度相对越快;
SSD 使用寿命与颗粒有关,TLC 颗粒约 1000 次擦写寿命,MLC 颗粒约 10000 次擦写寿命,SLC  颗粒约 10 万次擦写寿命。

SSD 颗粒类型 SLC MLC TLC

SSD 主控供应商(SSD & RAM)

区分闪存和内存