SRAM：Static Random Access Memory，静态随机存储器， 静态随机存储器，不需要刷新电路，数据不会丢失。
DRAM：Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器， 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据。
SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，数据的读写需要时钟来同步。
SDR：Single Data Rate, 单倍数据速率，数据在时钟的上升或下降沿可以传输
DDR：Dual Data Rate， 双倍数据速率，数据在时钟的上升和下降沿都可以传输
QDR：Quad Data Rate， 四倍倍数据速率，数据在时钟的上升和下降沿双倍传输
GDDR：Graphics Dual Data Rate，图像双倍数据速率，用于高速图像处理的场合，比如计算机的显卡中，其能够提供比传统DDR更高的数据传输速率。GDDR5采用点到点通信而不是象普通DDR那样是点到多点通信，因此信号完整性更好，数据传输速率更高。目前主流的GDDR5的数据传输速率是6Gb/s，预计在2012年会达到8Gb/s。
LPDDR：Low Power Dual Data Rate（mDDR：Mobile DDR SDRAM），低功耗双倍数据速率，主要用于手机等对功耗比较敏感的移动设备中。LPDDR工作方式和传统DDR类似，但是其架构和接口为低功耗应用做了优化，比如尺寸更小、工作电压更低、支持休眠模式、时钟速率可调等。目前LPDDR2的最高工作速率是1066Mb/s，下一代LPDDR3的工作速率预计在2012年会达到1600Mb/s。
UFS：Universal Flash Storage，移动端通用闪存存储，用于数码相机、智能手机等消费电子产品使用的闪存存储规范。它的设计目标是发展一套统一的快闪存储卡格式，在提供高数据传输速度和稳定性的同时，也可以减少消费者对于市面上各种存储卡格式的混淆和不同存储卡转接器的使用。
JEDEC：Joint Electron Device En gineering Council，电子设备工程联合委员会，制定 LPDDR、UFS 移动存储方案标准。
eMMC：embeddedMultiMediaCard，嵌入式多媒体存储卡，主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
MMCA：MultiMedia Card Association，多媒体存储卡协会，由西门子公司和首推CF的SanDisk于1997年推出，发展目标主要是针对数码影像、音乐、手机、PDA、电子书、玩具等产品。

* MT/s 表示 MegaTransfers/s，MT/s 为百万次/秒，由于 HT 总线是双向传输，换算成 MHz 需要除以 2。

瓦（瓦特）是功率单位，用W表示;
安（安培）是电流单位，用A表示;
伏（伏特）是电压单位，用V表示。
1V×1A=1W
额定电压12V的电机，从电压上看，用12V15A和12V20A安的电源都可以。不过，如果电机的额定功率较大，应尽量选大安数同电压的电源。
12V15A电源最大输出功率为180瓦，12V20安为240瓦。

行业规定安全电压为不高于36V，持续接触安全电压为24V，安全电流为10mA， 电击对人体的危害程度，主要取决于通过人体电流的大小和通电时间长短。电流强度越大，致命危险越大；持续时间越长，死亡的可能性越大。能引起人感觉到的最小电流值称为感知电流，交流为1mA，直流为5mA；人触电后能自己摆脱的最大电流称为摆脱电流，交流为10mA，直流为50mA；在较短的时间内危及生命的电流称为致命电流，致命电流为50mA。在有防止触电保护装置的情况下，人体允许通过的电流一般为30mA。